33d蜜桃成熟时,中文无码一区二区三区在线观看,中文字幕一区二区三区乱码人妻,香蕉久久人人爽人人爽人人片av

您好!歡迎訪問上海牧榮生物科技有限公司網站!
咨詢熱線

17621170138

當前位置:首頁 > 技術文章 > 徑跡蝕刻技術基礎

徑跡蝕刻技術基礎

更新時間:2023-04-04      點擊次數:651

原始聚合物薄膜的整經

重離子由離子源產生,然后通過回旋加速器加速至高達 4 MeV/uma 的能量。

對于束流,聚合物薄膜通過掃描離子束在真空下以恒定速度展開;因此,軌道密度(或所需的孔密度)由離子束強度和薄膜速度精確定義。

將薄膜拉到彎曲輥上以增加軌道的角度范圍,從而通過避免平行雙軌道來提高膜過濾器的選擇性。

image.png

橫梁聚合物薄膜的化學蝕刻

束流過程中產生的線性軌道主要以大分子斷鏈、高親水性化學基團和自由真空為特征。

因此,軌道比周圍的本體聚合物對化學物質更敏感,并且可以被選擇性地蝕刻,從而導致它們暴露在孔隙中。

image.png

化學蝕刻通常是在控制良好的濃度和溫度下使用堿性水溶液進行的。其主要特征在于軌道蝕刻速率(V t )和體蝕刻速率(V g )。 需要高比率 V t / V g才能獲得具有圓柱形孔的均質膜過濾器。


孔徑由蝕刻條件定義,而孔密度由光束參數定義。因此可以獨立地選擇孔徑和孔密度。


掃一掃,關注微信
地址:上海市嘉定區(qū)安亭鎮(zhèn)新源路155弄16號新源商務樓718室 傳真:Shanghai Mulong Biotechnology
©2024 上海牧榮生物科技有限公司 版權所有 All Rights Reserved.  備案號:滬ICP備2022017655號-1
久久精品国产清高在天天线| 一本之道av不卡精品| 杨浦区| 漂亮人妻被强了中文字幕久久| 福利午夜| 91九色首页| 丰满少妇被猛烈进入流水| 国色天香中文字幕在线视频| 久久精品九九热无码免贵| 亚洲AV无码专区在线电影天堂| 中文字幕丰满乱孑伦无码专区| 国产在线精品无码不卡手机免费| 无码一区二区| 平舆县| 乌拉特后旗| 年辖:市辖区| 通海县| 河曲县| 久久久精品国产免大香伊| 大兴区| 欧美亚洲日本国产其他| 久久精品国产亚洲不AV麻豆| 东辽县| 久久先锋男人av资源网站| 在线亚洲欧美日韩精品专区| 久久成人国产精品一区二区| 潘金莲高清DVD碟片| 亚洲成a人片77777国产| 欧美亚洲人成网站在线观看| 中文字幕人妻av一区二区 | 在线精品国产一区二区三区| 无码专区一ⅴa亚洲v天堂 | 精品一区二区三区东京热| 成人国产精品一区二区网站公司| 国产A√精品区二区三区四区| 日本人真人姓交大视频| 欧美日韩一区二区三区自拍| 欧美日产国产精品| 国产AⅤ无码专区亚洲AV| 麻豆av一区二区三区久久| 免费国产黄网站在线观看视频|